一种高可靠性低缺陷半导体发光器件及其制备方法
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摘要
一种高可靠性低缺陷半导体发光器件及其制备方法，高可靠性低缺陷半导体发光器件包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的有源层；位于所述有源层背离所述半导体衬底层一侧的掺杂半导体接触层，所述掺杂半导体接触层包括第一区和包围所述第一区的边缘区；位于所述掺杂半导体接触层的边缘区背离所述有源层一侧的保护层；正面电极层，位于所述第一区背离所述有源层一侧，所述第一区上的正面电极层的上表面低于所述保护层的上表面。所述半导体发光器件兼顾可靠性高和降低工艺控制成本。
基本信息
专利标题 ：
一种高可靠性低缺陷半导体发光器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114336268A
申请号 ：
CN202210205786.5
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-03-04
授权号 ：
CN114336268B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
王俊谭少阳张立晨胡燚文赵武李波李泉灵
申请人 ：
苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区昆仑山路189号科技城工业坊-A区2号厂房-1-102、2号厂房-2-203
代理机构 ：
北京三聚阳光知识产权代理有限公司
代理人 ：
薛异荣
优先权 ：
CN202210205786.5
主分类号 ：
H01S5/028
IPC分类号 ：
H01S5/028 H01S5/042 H01S5/20
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/028
申请日 : 20220304
申请日 : 20220304
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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