一种半导体芯片的划片工艺改进方法
公开
摘要
本发明公开了一种半导体芯片的划片工艺改进方法,属于半导体制造工艺技术领域，包括正面形成有器件结构的半导体晶圆，在正面工艺完成后的半导体晶圆正面涂覆一层光刻胶，显影露出划片槽衬底，刻蚀处理将划片槽衬底向下刻蚀形成凹槽。本发明可将独立完整电气性能的芯片分离出来，有效改进了现在半导体晶圆的划片工艺良率和效率。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体芯片的划片工艺改进方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597122A
申请号 ：
CN202210237396.6
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-03-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙锦洋
申请人 ：
成都海威华芯科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联大道88号
代理机构 ：
成都华风专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
李晓
优先权 ：
CN202210237396.6
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 H01L21/306 H01L21/3065 H01L21/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
