温度补偿型声表面波滤波器晶圆级封装结构和制造方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及滤波器技术领域，公开一种温度补偿型声表面波滤波器晶圆级封装结构的制造方法，包括：在滤波器晶圆上形成叉指换能器IDT结构、IDT电气连接金属条和芯片边缘金属环；在叉指换能器IDT结构、IDT电气连接金属条、芯片边缘金属环和滤波器晶圆上淀积温补层；对温补层进行刻蚀；在暴露出的IDT电气连接金属条和芯片边缘金属环上形成金属层；在金属层上形成二氧化硅层作为钝化层，并利用二氧化硅钝化层与硅盖晶圆进行键合，获得空腔。这样利用滤波器必要的结构而不需引入额外的键合材料层就能够完成晶圆级封装，获得滤波器的空腔结构，且空腔结构强度高，芯片面积更小，制造成本更低。本申请还公开一种温度补偿型声表面波滤波器晶圆级封装结构。
基本信息
专利标题 ：
温度补偿型声表面波滤波器晶圆级封装结构和制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114465591A
申请号 ：
CN202210382041.6
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-04-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
深圳新声半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙华区民治街道民泰社区万科金域华府一期1-8座5座301
代理机构 ：
北京康盛知识产权代理有限公司
代理人 ：
陶俊洁
优先权 ：
CN202210382041.6
主分类号 ：
H03H3/08
IPC分类号 ：
H03H3/08 H03H9/02 H03H9/10 H03H9/64
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03H 3/08
申请日 : 20220413
申请日 : 20220413
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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