一种封装方法及封装装置
实质审查的生效
摘要

本发明涉及半导体封装领域,公开一种封装方法及适用于该封装方法的封装装置,封装方法包括以下步骤:步骤一,在第一温度及第一压力下,将盖板通过胶水粘接于外壳顶端;步骤二,将外壳和盖板设置于密闭腔体中,第一温度和密闭腔体的第二温度均低于固化温度;步骤三,将第二压力减小、以使盖板部分翘起;步骤四,第二压力减小至第三压力后停止减小,并维持第三压力,以使盖板与外壳顶端重新贴合;步骤五,将第二温度提升至固化温度,并不断调整第二压力、以使温度提升过程中第二压力与外壳内部压力始终一致。该封装方法及封装装置能够有效避免气泡和气体通道的形成以及有效避免二次高温焊接时盖板的掉落。

基本信息
专利标题 :
一种封装方法及封装装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114551253A
申请号 :
CN202210454527.6
公开(公告)日 :
2022-05-27
申请日 :
2022-04-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
李大超黄小辉刘建青
申请人 :
至芯半导体(杭州)有限公司
申请人地址 :
浙江省杭州市钱塘新区河庄街道东围路599号博潮城4幢一层和二层
代理机构 :
北京高沃律师事务所
代理人 :
张德才
优先权 :
CN202210454527.6
主分类号 :
H01L21/52
IPC分类号 :
H01L21/52  H01L21/67  H01L23/02  H01L23/10  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/52
半导体在容器中的安装
法律状态
2022-06-14 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/52
申请日 : 20220428
2022-05-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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