一种低开关损耗功率器件结构及其制造方法
公开
摘要
本发明涉及一种低开关损耗功率器件结构，在第一导电类型外延层的顶部设有第二导电类型体区，在第二导电类型体区内设有沟槽，沟槽穿透第二导电类型体区进入第一导电类型外延层内，并且沟槽顶部的两侧设有第一导电类型源区，所述沟槽内设有第一导电多晶硅与第二导电多晶硅，所述第一导电多晶硅位于沟槽的顶部，与沟槽的侧壁之间设有第一栅氧层，第一栅氧层的顶部与第一导电类型源区接触，底部与第二导电类型体区接触，所述第二导电多晶硅与沟槽的侧壁与底壁之间设有第二栅氧层，所述第二栅氧层的顶部与第二导电类型体区接触，底部与第一导电类型外延层接触，第一栅氧层与第二栅氧层邻接，本发明能够缩小元胞尺寸，并且降低开关损耗。
基本信息
专利标题 ：
一种低开关损耗功率器件结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582965A
申请号 ：
CN202210483384.1
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-05-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱袁正周锦程叶鹏
申请人 ：
南京微盟电子有限公司;无锡新洁能股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市玄武区玄武大道699-8号1号楼5楼
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210483384.1
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/06 H01L29/78 H01L21/336 H01L21/28
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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