一种功率MOSFET器件及其制作方法
公开
摘要
本发明涉及一种功率MOSFET器件及其制造方法，所述功率MOSFET器件分为有源区和终端区，在第一导电类型衬底上设有第一导电类型外延层，在第一导电类型外延层上设有第二导电类型外延层，在有源区的第一导电类型外延层和第二导电类型外延层中设有第一导电类型阱区，在第一导电类型外延层和第二导电类型外延层中设有沟槽，在有源区的第二导电类型外延层中设有第一导电类型源极和第二导电类型源极，在终端区的第二导电类型外延层中设有第二导电类型源极，本发明能够缓解半导体晶圆在制造过程中产生的翘曲，有效提高功率半导体器件的终端耐压，提高功率半导体器件的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种功率MOSFET器件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597264A
申请号 ：
CN202210500218.8
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-05-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱袁正杨卓黄薛佺朱晨凯
申请人 ：
南京微盟电子有限公司;无锡新洁能股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市玄武区玄武大道699-8号1号楼5楼
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210500218.8
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L21/336 H01L21/265
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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