一种反应室及化学气相沉积设备
授权
摘要
本申请提供了一种反应室及化学气相沉积设备，涉及半导体生产设备领域。所述反应室包括顶盖、底座及固定挡板，所述底座上设有凹槽，所述固定挡板上设有对应的凸块，所述凹槽与所述凸块配合，使所述固定挡板与所述底座固定连接，所述固定挡板用于遮挡所述底座的表面，所述凸块的长度和宽度均大于所述凸块插入所述凹槽的深度。所述化学气相沉积设备包括上述反应室。本申请的所述凸块在插入所述凹槽内或从所述凹槽内取出时，所述凸块不易折断；所述凸块受到热胀冷缩时不易断裂，避免所述挡板的意外滑动；所述凸块插入所述凹槽时容易对准，方便所述固定挡板安装于所述反应室内。
基本信息
专利标题 ：
一种反应室及化学气相沉积设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202220258919.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2022-02-09
授权号 ：
CN216738523U
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
徐鑫肖蕴章陈炳安钟国仿
申请人 ：
深圳市纳设智能装备有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市光明区凤凰街道凤凰社区观光路招商局光明科技园A6栋1B
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
贾耀斌
优先权 ：
CN202220258919.0
主分类号 ：
C23C16/44
IPC分类号 ：
C23C16/44 C23C16/458
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
法律状态
2022-06-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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