非线性磁场单晶硅拉制方法及其装置
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
摘要
一种在磁场中拉制单晶的方法和单晶炉，该单晶炉的螺旋管分成内径大小不同的两组，螺旋管的衔铁做成炉壁的形状，同时作为整个炉体的炉壁，并与炉体的上下端盖和磁环形成全封闭结构，螺旋管由升降器支撑，可以相对坩埚做上下运动，拉晶时，坩埚位于由螺旋管所产生磁场的上端或下端具有喇叭形状的非线性区域，以获得对熔硅热对流的尽可能大的抑制效果，全封闭结构的炉壁兼作衔铁，使得用较小的直流功率源获得较大的磁场强度成为可能。
基本信息
专利标题 ：
非线性磁场单晶硅拉制方法及其装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85100591A
申请号 ：
CN85100591.8
公开（公告）日 ：
1986-07-02
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
CN1003380B
授权日 ：
1989-02-22
发明人 ：
周士仁孔庆茂纪彦蜀高元愷王守雨韩长林付泽国
申请人 ：
哈尔滨工业大学
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市
代理机构 ：
哈尔滨工业大学专利事务所
代理人 ：
黄锦阳
优先权 ：
CN85100591.8
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B15/22
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
1992-08-26 ：
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
1989-10-25 ：
授权
1989-02-22 ：
审定
1986-07-02 ：
公开
1985-10-10 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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