采用氮族元素聚合物半导体的薄膜场效应晶体管
被视为撤回的申请
摘要
薄膜场效应管用MPX做开关半导体，M是至少一种碱金属，P是至少一种氮族元素，X从15到无穷。公开的金属绝缘半导体和金属半导体场效应管中半导体可掺0.5％的镍、铁或铭而不增加导电率也可掺杂0.5-1％以增加导电率。源与漏极下的区域掺杂2-3％以提供良好电接触。绝缘层最好用P3N5以保持材料的化学连续性，氮族元素最好在有过剩P4的氩气氛中用射频等离子溅射法淀积，P3N5也用P4但在氮气氛中由该方式淀积，各层相邻时不必打开真空即可完成淀积。
基本信息
专利标题 ：
采用氮族元素聚合物半导体的薄膜场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85103742A
申请号 ：
CN85103742
公开（公告）日 ：
1986-11-19
申请日 ：
1985-05-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘易斯A·邦茨罗泽利·莎赫特马塞罗·维斯高里欧斯
申请人 ：
斯托弗化学公司
申请人地址 ：
美国纽约10522多布斯·费里
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
张卫民
优先权 ：
CN85103742
主分类号 ：
H01L29/76
IPC分类号 ：
H01L29/76
法律状态
1989-02-01 ：
被视为撤回的申请
1986-11-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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