一种用于光伏电池的Ⅱ－Ⅵ族半导体薄膜
专利权的终止
摘要
一种用于光伏电池的II－VI族半导体薄膜制备技术，利用水热晶化的方法在导电玻璃衬底上制备出ZnS、Cu2S薄膜；CdS－ZnS、CdS－CdTe复合薄膜；CuInS2薄膜和Au/n－In2S3/p－CuInS2/SnO2/glass光伏电池。本发明通过采用水热晶化的方法，制备出各种可以应用于光伏电池的II－VI族半导体薄膜，和Au/n－In2S3/p－CuInS2/SnO2/glass光伏电池，较大幅度的降低了光伏电池的制备成本，为其大规模工业化生产提供了一种新型廉价的制备路线。
基本信息
专利标题 ：
一种用于光伏电池的Ⅱ－Ⅵ族半导体薄膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1996623A
申请号 ：
CN200510130766.2
公开（公告）日 ：
2007-07-11
申请日 ：
2005-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李灿任通于睿
申请人 ：
中国科学院大连化学物理研究所
申请人地址 ：
116023辽宁省大连市中山路457号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
周长兴
优先权 ：
CN200510130766.2
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18
法律状态
2015-02-18 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101599304103
IPC(主分类) : H01L 31/18
专利号 : ZL2005101307662
申请日 : 20051228
授权公告日 : 20100217
终止日期 : 20131228
号牌文件序号 : 101599304103
IPC(主分类) : H01L 31/18
专利号 : ZL2005101307662
申请日 : 20051228
授权公告日 : 20100217
终止日期 : 20131228
2010-02-17 ：
授权
2008-12-31 ：
实质审查的生效
2007-07-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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