溅射镀膜设备的靶中阴极和接地屏蔽极的配置
被视为撤回的申请
摘要
本发明涉及一种溅射镀膜设备的靶[100]，此靶包括在其一个表面上配置有溅射靶材料[58]的阴极[56]和接地屏蔽极[84]，接地屏蔽极包围阴极的除开配置溅射靶材料的一个表面以外的所有表面，并由于有一间隙[96]而与其中的阴极形成电绝缘。外周条形片[90]装在具有靶材料的阴极表面的外周边缘部分[66]上，形成一连续的外周凸缘[94]，以防止散落的被溅射材料的碎屑桥接间隙，从而防止阴极和接地屏蔽极之间发生短路。
基本信息
专利标题 ：
溅射镀膜设备的靶中阴极和接地屏蔽极的配置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86104429A
申请号 ：
CN86104429
公开（公告）日 ：
1987-01-07
申请日 ：
1986-07-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
阿尔伯特·丹尼尔·格拉瑟
申请人 ：
西屋电气公司
申请人地址 ：
美国宾夕法尼亚州15222
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
卢宁
优先权 ：
CN86104429
主分类号 ：
C23C14/36
IPC分类号 ：
C23C14/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/36
二极溅射
法律状态
1989-04-05 ：
被视为撤回的申请
1987-01-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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