单块集成电路的制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
在本发明方法中发射极区(6)和集电极区分别被氧化掩蔽层部分(71、72)以一般的方式覆盖。在注入基区导电类型离子之后，用热氧化法在(6)周围形成氧化条(21)。在去除(71、72)之后，淀积至少由一个顶层(10)和下面的掺杂层(9)组成的顺序层(9、10)。采用一种被掩蔽的各向异性刻蚀工序并通过(21)，(9、10)被分成发射极(61)和集电极(32)，在上述电极的外部，扩散发射区(4)与集电极接触区(31)。
基本信息
专利标题 ：
单块集成电路的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87107362A
申请号 ：
CN87107362.5
公开（公告）日 ：
1988-06-29
申请日 ：
1987-12-11
授权号 ：
CN1007305B
授权日 ：
1990-03-21
发明人 ：
洛萨·布洛斯弗尔德
申请人 ：
德国ITT工业有限公司
申请人地址 ：
联邦德国弗赖堡
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
邓明
优先权 ：
CN87107362.5
主分类号 ：
H01L21/82
IPC分类号 ：
H01L21/82 H01L21/225
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
法律状态
1998-02-04 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1990-12-05 ：
授权
1990-03-21 ：
审定
1989-06-28 ：
实质审查请求
1988-06-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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