使用卤化物的铜蚀刻方法
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
本发明公开了一种可用于集成电路制作的铜层蚀刻的蚀刻方法，该方法使用了卤化物与铜反应，最好使用高强的紫外光的光激能和光定向辅助，以生成或具挥发性的、或易用溶液清洗的产物。本方法为各向异性的。
基本信息
专利标题 ：
使用卤化物的铜蚀刻方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1052706A
申请号 ：
CN90110066.8
公开（公告）日 ：
1991-07-03
申请日 ：
1990-12-20
授权号 ：
CN1025508C
授权日 ：
1994-07-20
发明人 ：
蒙特·A·道格拉斯
申请人 ：
德克萨斯仪器股份有限公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
上海专利事务所
代理人 ：
吴惠中
优先权 ：
CN90110066.8
主分类号 ：
C23F1/12
IPC分类号 ：
C23F1/12 C23F1/02 H05K3/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23F
非机械方法去除表面上的金属材料；金属材料的缓蚀；一般防积垢；至少一种在C23大类中所列的方法及至少一种在C21D、C22F小类或者C25大类中所列的方法的多步法金属材料表面处理
C23F1/00
金属材料的化学法蚀刻
C23F1/10
蚀刻用组合物
C23F1/12
气态组合物
法律状态
2010-02-17 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2002-04-24 ：
其他有关事项
1994-07-20 ：
授权
1993-04-14 ：
实质审查请求的生效
1991-07-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1025508C.PDF
PDF下载
2、
CN1052706A.PDF
PDF下载
