半导体器件及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种半导体器件，包括：半导体膜；形成在半导体膜中的一对第一杂质区；形成在一对第一杂质区之间的第一沟道区；形成在半导体膜中的一对第二杂质区；形成在一对第二杂质区之间的第二沟道区；形成在半导体膜上的栅绝缘膜；第一栅电极，形成为与第一沟道区相邻，并且栅绝缘膜夹在其间；第二栅电极，形成为与第二沟道区相邻，并且栅绝缘膜夹在其间；形成在第一栅电极和第二栅电极上的绝缘膜；形成在绝缘膜中的接触孔；以及形成在绝缘膜上的连线，其中一对第一杂质区中的一个第一杂质区与一对第二杂质区中的一个第二杂质区接触；其中连线电连接到一对第一杂质区中的一个第一杂质区和一对第二杂质区中的一个第二杂质区。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1658389A
申请号 ：
CN200510009401.4
公开（公告）日 ：
2005-08-24
申请日 ：
1993-12-04
授权号 ：
CN1658389B
授权日 ：
2010-12-29
发明人 ：
张宏勇鱼地秀贵高山彻福永健司竹村保彦
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县厚木市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
刘杰
优先权 ：
CN200510009401.4
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2014-02-05 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101567131919
IPC(主分类) : H01L 27/02
专利号 : ZL2005100094014
申请日 : 19931204
授权公告日 : 20101229
期满终止日期 : 20131204
号牌文件序号 : 101567131919
IPC(主分类) : H01L 27/02
专利号 : ZL2005100094014
申请日 : 19931204
授权公告日 : 20101229
期满终止日期 : 20131204
2010-12-29 ：
授权
2005-10-19 ：
实质审查的生效
2005-08-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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