用回蚀和化学机械研磨形成铝镜层的方法

专利权的终止

摘要

本发明涉及半导体工业中的回蚀以及化学机械研磨工艺，特别涉及一种用回蚀和化学机械研磨相结合形成铝镜层的方法。应用本发明的方法，可以避免反应性离子蚀刻后采用的后续步骤产生的电介质凹陷、蚀损斑，微粒等缺点对产品质量的负面影响，使产品的铝表面没有或者非常少缺点。本发明可应用于微显(Micro－Display)，微电机系统(MEMS)，微光机电系统(MOMS)等。

基本信息

专利标题：

用回蚀和化学机械研磨形成铝镜层的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1941291A

申请号：

CN200510030302.4

公开（公告）日：

2007-04-04

申请日：

2005-09-29

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

俞昌杨春晓

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

代理机构：

上海新高专利商标代理有限公司

代理人：

楼仙英

优先权：

CN200510030302.4

主分类号：

H01L21/302

IPC分类号：

H01L21/302

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/30

用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的

H01L21/302

改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割

法律状态

2019-09-17 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/302
申请日 : 20050929
授权公告日 : 20081210
终止日期 : 20180929

2012-01-04 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101257119580
IPC(主分类) : H01L 21/302
专利号 : ZL2005100303024
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20111123

2008-12-10 ：

授权

2007-05-30 ：

实质审查的生效

2007-04-04 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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