功能膜的制造方法、薄膜晶体管的制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种功能膜的制造方法，其特征在于，包括：将含有熔点为900℃以上且使粒径为30nm～150nm时的熔点为255℃以上的金属和金属氧化物材料作为溶质的第1油墨配置于基板(P)上的工序、在已配置的第1油墨上配置含有金属有机盐作为溶质的第2油墨X2的工序。由此，本发明提供与烧成温度无关、即使在将烧成温度设定为低温的情况下膜表面的平坦性和膜的致密性也良好且可以充分确保需要的膜特性的功能膜的制造方法。
基本信息
专利标题 ：
功能膜的制造方法、薄膜晶体管的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1755897A
申请号 ：
CN200510106871.2
公开（公告）日 ：
2006-04-05
申请日 ：
2005-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
傅田敦
申请人 ：
精工爱普生株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李香兰
优先权 ：
CN200510106871.2
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/336
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2014-11-26 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101588949556
IPC(主分类) : H01L 21/02
专利号 : ZL2005101068712
申请日 : 20050927
授权公告日 : 20080423
终止日期 : 20130927
号牌文件序号 : 101588949556
IPC(主分类) : H01L 21/02
专利号 : ZL2005101068712
申请日 : 20050927
授权公告日 : 20080423
终止日期 : 20130927
2008-04-23 ：
授权
2006-05-31 ：
实质审查的生效
2006-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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