图案及配线形成方法、半导体装置、TFT器件、电光学装置
专利权的终止
摘要
本发明提供在基板的表面成为配线的形成微细图案的图案形成方法、配线形成方法、半导体装置、TFT器件、电光学装置和电子仪器。其特征在于：使用液滴喷出装置(40)形成的TFT1的栅配线(3)和栅电极(5)，具有：由Mn构成的栅中间层(10)、由Ag构成的栅导电层(11)、由Ni构成的栅被覆层(12)。配线的形成工序具有：为了设置具有与TFT基板2的密接性、而且对于形成导电层(11)的液滴(32)具有亲液性的中间层，而对于栅配线区域(3a)和栅电极区域(5a)喷出中间层形成功能液的液滴(31)的工序；用于与栅中间层重叠形成栅导电层(11)而对于栅配线区域(3a)喷出液滴(32)的工序；和通过与栅中间层(10)的亲液性使液滴(32)自己流动到栅电极区域(5a)的工序。
基本信息
专利标题 ：
图案及配线形成方法、半导体装置、TFT器件、电光学装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1763616A
申请号 ：
CN200510108592.X
公开（公告）日 ：
2006-04-26
申请日 ：
2005-10-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
守屋克之平井利充
申请人 ：
精工爱普生株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李香兰
优先权 ：
CN200510108592.X
主分类号 ：
G02F1/1368
IPC分类号 ：
G02F1/1368 G02F1/1343 G02F1/1345
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器
G02F1/00
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学
G02F1/01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
G02F1/13
基于液晶的，例如单位液晶显示单元
G02F1/133
构造上的设备；液晶单元的工作；电路装置
G02F1/136
结构上与一半导体层或基片相结合的液晶单元，例如形成集成电路部分的液晶单元
G02F1/1362
有源矩阵寻址单元
G02F1/1368
其中开关元件为三电极装置
法律状态
2017-11-24 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G02F 1/1368
申请日 : 20051010
授权公告日 : 20080813
终止日期 : 20161010
申请日 : 20051010
授权公告日 : 20080813
终止日期 : 20161010
2008-08-13 ：
授权
2006-06-14 ：
实质审查的生效
2006-04-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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