半导体器件

专利权的终止

摘要

提供一种半导体器件，其中对于具有彼此不同的各自功能的区域来说，可以同时调整晶体管中的栅电极的阈值。该半导体器件具有：P型Si衬底(109)；位于P型Si衬底(109)的元件形成表面侧的P型环形阱(181)；和位于P型环形阱(181)之内的N型环形阱(183)。此外，SRAM－P型阱(185)和SRAM－N型阱(189)位于N型环形阱(183)之内。深N型阱(133)比SRAM－P型阱(185)和SRAM－N型阱(189)更靠近P型Si衬底(109)的底侧。多个P型阱(103)位于P型环形阱(181)之外，并且以阱(101)封闭P型阱(103)的外侧面的方式提供N型阱(101)。

基本信息

专利标题：

半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1767196A

申请号：

CN200510113646.1

公开（公告）日：

2006-05-03

申请日：

2005-10-13

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

益冈完明

申请人：

恩益禧电子股份有限公司

申请人地址：

日本神奈川县

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

穆德骏

优先权：

CN200510113646.1

主分类号：

H01L27/085

IPC分类号：

H01L27/085

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L27/00

由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件

H01L27/02

包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的

H01L27/04

其衬底为半导体的

H01L27/08

只包括有一种半导体组件的

H01L27/085

只包含场效应的组件

法律状态

2014-12-10 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101590779556
IPC(主分类) : H01L 27/085
专利号 : ZL2005101136461
申请日 : 20051013
授权公告日 : 20081015
终止日期 : 20131013

2011-01-05 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101058675917
IPC(主分类) : H01L 27/085
专利号 : ZL2005101136461
变更事项 : 专利权人
变更前 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川县
变更后 : 日本神奈川县

2008-10-15 ：

授权

2006-06-28 ：

实质审查的生效

2006-05-03 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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