一种半导体器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体器件，涉及半导体技术领域。本实用新型的半导体器件包括基板；第一部分，其设置在所述基板上，所述第一部分包括HEMT结构；第二部分，其设置在所述基板上与所述第一部分横向连接，且所述第二部分与所述第一部分共面且彼此电介质绝缘，所述第二部分包括SIC MOSFET结构。本实用新型相比现有的半导体集成器件，具有更高频，更高密度的特点。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921777090.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-22
授权号 ：
CN210897283U
授权日 ：
2020-06-30
发明人 ：
林信南刘美华刘岩军
申请人 ：
深圳市晶相技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市坪山区坪山街道六和社区招商花园城17栋S1704
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
王华英
优先权 ：
CN201921777090.X
主分类号 ：
H01L27/085
IPC分类号 ：
H01L27/085 H01L21/8258
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
法律状态
2020-06-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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