发光二极管的晶圆级测试方法及构造
授权
摘要
本发明是有关于一种发光二极管的晶圆级测试方法及构造。该发光二极管的晶圆级测试方法，首先提供有一LED半导体晶圆，将一胶带贴附在该LED半导体晶圆的背面，再切割该LED半导体晶圆成为复数个在该胶带上的LED芯片，在测试该些LED芯片时，以一探测卡的复数个探触结构欧姆接触该些LED芯片的P型电极与N型电极，每一探触结构包括有一光侦测器，其是对应于该些LED芯片上方，用以侦测该些LED芯片发生的光源。本发明可以达到大量与快速地晶圆级测试复数个发光二极管，其还可以达到大量与快速地测试LED覆晶芯片的功效，非常适于实用。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管的晶圆级测试方法及构造
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1956159A
申请号 ：
CN200510114523.X
公开（公告）日 ：
2007-05-02
申请日 ：
2005-10-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘安鸿王永和赵永清李耀荣
申请人 ：
南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200510114523.X
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 H01L33/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2009-03-18 ：
授权
2007-06-27 ：
实质审查的生效
2007-05-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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