埋入式芯片封装结构
授权
摘要
一种埋入式芯片封装结构，包含有：一第一金属板；形成有至少一贯穿开口的一第二金属板，设于第一金属板的上表面且与第一金属板构成一散热基板；至少一个半导体芯片及至少一个芯片式电容元件分别连接设置于第一金属板而容纳于第二金属板的贯穿开口中；一无源元件层，设置于第二金属板的部分上表面；以及至少一个线路增层结构，设于散热基板表面并覆盖半导体芯片、芯片式电容元件与无源元件层。
基本信息
专利标题 ：
埋入式芯片封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1956193A
申请号 ：
CN200510118491.0
公开（公告）日 ：
2007-05-02
申请日 ：
2005-10-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许诗滨
申请人 ：
全懋精密科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510118491.0
主分类号 ：
H01L25/16
IPC分类号 ：
H01L25/16 H01L23/488 H01L23/36
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/16
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的
法律状态
2009-06-24 ：
授权
2007-06-27 ：
实质审查的生效
2007-05-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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