浸入式光刻中的衬底布置
授权
摘要

一种用于确定衬底的中心与夹盘中的凹腔的中心之间的偏移的方法,包括:为凹腔提供测试衬底,其中该测试衬底的尺寸小于凹腔的尺寸;在测试衬底处于凹腔中时测量测试衬底的对准标记的位置;以及从对准标记的位置中确定衬底中心与凹腔中心之间的偏移。

基本信息
专利标题 :
浸入式光刻中的衬底布置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1786833A
申请号 :
CN200510137044.X
公开(公告)日 :
2006-06-14
申请日 :
2005-12-09
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
C·A·胡根达姆G·J·尼梅杰M·库佩鲁斯P·A·W·C·M·范埃克
申请人 :
ASML荷兰有限公司
申请人地址 :
荷兰维尔德霍芬
代理机构 :
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 :
蔡民军
优先权 :
CN200510137044.X
主分类号 :
G03F7/20
IPC分类号 :
G03F7/20  H01L21/027  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2009-12-02 :
授权
2008-02-06 :
实质审查的生效
2006-06-14 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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