浸入式光刻中的衬底布置
授权
摘要
一种用于确定衬底的中心与夹盘中的凹腔的中心之间的偏移的方法，包括：为凹腔提供测试衬底，其中该测试衬底的尺寸小于凹腔的尺寸；在测试衬底处于凹腔中时测量测试衬底的对准标记的位置；以及从对准标记的位置中确定衬底中心与凹腔中心之间的偏移。
基本信息
专利标题 ：
浸入式光刻中的衬底布置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1786833A
申请号 ：
CN200510137044.X
公开（公告）日 ：
2006-06-14
申请日 ：
2005-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
C·A·胡根达姆G·J·尼梅杰M·库佩鲁斯P·A·W·C·M·范埃克
申请人 ：
ASML荷兰有限公司
申请人地址 ：
荷兰维尔德霍芬
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
蔡民军
优先权 ：
CN200510137044.X
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 H01L21/027
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2009-12-02 ：
授权
2008-02-06 ：
实质审查的生效
2006-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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