集成散热片的半导体器件及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包含安装基座以及发光器件。该安装基座包含由第一半导体材料形成的基底，以及由具有高热导率的材料形成第一层。并且，该第一层形成于该基底的一表面上。此外，该发光器件是多层结构，并且该多层结构包含由第二半导体材料形成的第二层。该发光器件结合于该安装基座的第一层上。并且，该第一半导体材料与该第二半导体材料的热膨胀系数的差异落于一预定的范围。
基本信息
专利标题 ：
集成散热片的半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1992358A
申请号 ：
CN200510137505.3
公开（公告）日 ：
2007-07-04
申请日 ：
2005-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄国欣
申请人 ：
联胜光电股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台中县
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510137505.3
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L23/373
法律状态
2015-02-18 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101599311337
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005101375053
申请日 : 20051229
授权公告日 : 20090311
终止日期 : 20131229
号牌文件序号 : 101599311337
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005101375053
申请日 : 20051229
授权公告日 : 20090311
终止日期 : 20131229
2009-03-11 ：
授权
2007-08-29 ：
实质审查的生效
2007-07-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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