半导体装置及其制造方法、电路基板、以及电子仪器
授权
摘要
一种半导体装置，备有：半导体基板，其具有能动面和背面；集成电路，其形成在所述能动面上；贯通电极，其将所述半导体基板贯通、从所述能动面及所述背面突出；第1树脂层，其设置在所述半导体基板的能动面上、具有比从所述能动面突出的所述贯通电极的一部分的高度要大的厚度、具有至少使所述贯通电极的一部分露出的开口；配线层，其设置在所述第1树脂层上、通过所述开口连接在所述贯通电极上；和外部连接端子，其连接在所述配线层上。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法、电路基板、以及电子仪器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1812089A
申请号 ：
CN200510137720.3
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2005-12-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
伊东春树
申请人 ：
精工爱普生株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李香兰
优先权 ：
CN200510137720.3
主分类号 ：
H01L25/00
IPC分类号 ：
H01L25/00 H01L25/065 H01L23/48 H01L21/60 H01L21/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
法律状态
2008-10-22 ：
授权
2006-09-27 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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