半导体装置及其制造方法、电路基板、及电子仪器
专利申请权、专利权的转移
摘要
提供一种半导体装置，其备有：半导体元件、贯通上述半导体元件的贯通电极、和选择性地覆盖上述半导体元件的侧壁及角的树脂层。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法、电路基板、及电子仪器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819130A
申请号 ：
CN200510137723.7
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2005-12-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
深泽元彦
申请人 ：
精工爱普生株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李香兰
优先权 ：
CN200510137723.7
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L23/31
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2012-05-30 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101363332234
IPC(主分类) : H01L 21/56
专利号 : ZL2005101377237
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 精工爱普生株式会社
变更后权利人 : 三星电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20120419
号牌文件序号 : 101363332234
IPC(主分类) : H01L 21/56
专利号 : ZL2005101377237
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 精工爱普生株式会社
变更后权利人 : 三星电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20120419
2008-10-29 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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