用于化学机械抛光的系统、方法与研磨液
专利权的终止
摘要
本发明揭示了采用CMP法在一衬底上制备银或银合金膜及膜图案的方法、研磨液的配方以及抛光机制。此方法与研磨液能使银或银合金膜具有高平坦化，低不平整度，高反射率与低缺陷性。
基本信息
专利标题 ：
用于化学机械抛光的系统、方法与研磨液
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101095216A
申请号 ：
CN200580036187.X
公开（公告）日 ：
2007-12-26
申请日 ：
2005-10-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨春晓俞昌
申请人 ：
安集微电子（上海）有限公司
申请人地址 ：
中国上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼613－618室
代理机构 ：
上海虹桥正瀚律师事务所
代理人 ：
李佳铭
优先权 ：
CN200580036187.X
主分类号 ：
H01L21/302
IPC分类号 ：
H01L21/302 H01L21/461 C09G1/02 C09K3/14
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
法律状态
2016-12-07 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101691181693
IPC(主分类) : H01L 21/302
专利号 : ZL200580036187X
申请日 : 20051019
授权公告日 : 20090826
终止日期 : 20151019
号牌文件序号 : 101691181693
IPC(主分类) : H01L 21/302
专利号 : ZL200580036187X
申请日 : 20051019
授权公告日 : 20090826
终止日期 : 20151019
2009-08-26 ：
授权
2008-02-20 ：
实质审查的生效
2007-12-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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