用于热处理硅晶圆的低温测温方法和装置
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摘要

快速热处理(RTP)系统(110)包括监控由硅晶圆(32)对来自处于较低功率级RTP灯(46)的辐射的吸收而决定的温度的透射高温计(12)。建立涉及对应于晶圆和辐射灯温度的光电检测器的光电流的非标准化值的查找表。校准步骤(170)通过已知的晶圆和灯温度测量光电流并且因此标准化其后测量的所有光电流(142)。透射高温计可用于对低于500℃的热处理执行闭环控制或者用于包括闭环控制的辐射高温计的较高温度工艺的预加热阶段。通过测量初始上升速率并相应重新调整灯功率控制预加热温度上升速率。在具有光束分离器(204)的集成结构中可以包括透射高温计和辐射高温计,其中所述光束分离器划分来自晶圆的辐射。

基本信息
专利标题 :
用于热处理硅晶圆的低温测温方法和装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101128716A
申请号 :
CN200580036894.9
公开(公告)日 :
2008-02-20
申请日 :
2005-10-05
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
亚伦·缪尔·亨特巴拉苏布若门尼·拉马钱德伦科琳娜·埃琳娜·塔纳瑟拉杰士·S·罗摩努亚姆塔彭恩·T·迪克西特
申请人 :
应用材料股份有限公司
申请人地址 :
美国加利福尼亚州
代理机构 :
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 :
徐金国
优先权 :
CN200580036894.9
主分类号 :
F27D11/00
IPC分类号 :
F27D11/00  
IPC结构图谱
F
F部——机械工程;照明;加热;武器;爆破
F27
炉;窑;烘烤炉;蒸馏炉
F27D
一种以上的炉通用的炉、窑、烘烤炉或蒸馏炉的零部件或附件
F27D
一种以上的炉通用的炉、窑、烘烤炉或蒸馏炉的零部件或附件
F27D11/00
炉内或炉上电热元件的配置
法律状态
2012-09-05 :
授权
2012-03-14 :
著录事项变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101295525197
IPC(主分类) : F27D 11/00
专利申请号 : 2005800368949
变更事项 : 申请人
变更前 : 应用材料股份有限公司
变更后 : 应用材料公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国加利福尼亚州
变更后 : 美国加利福尼亚州
2008-04-16 :
实质审查的生效
2008-02-20 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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