半导体器件及功率放大器
授权
摘要
在输入端子(Rfin)和输出端子(Rfout)之间并联连接多个放大电路(2)以构成半导体器件(1)。此外，放大电路(2)由HBT(3)、在输入端子(Rfin)和HBT(3)的基极(B)之间连接的振荡稳定电路(4)、在偏置端子(Bin)和HBT(3)的基极(B)之间连接的镇流电阻(5)构成。此外，通过并联连接电阻(6)和电容器(7)构成振荡稳定电路(4)。由此，在能够使用镇流电阻(5)防止HBT(3)的热失控的同时，还能够使用振荡稳定电路(4)提高包含低频侧的振荡的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及功率放大器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101053151A
申请号 ：
CN200580037810.3
公开（公告）日 ：
2007-10-10
申请日 ：
2005-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
有家光夫杉本泰崇
申请人 ：
株式会社村田制作所
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李香兰
优先权 ：
CN200580037810.3
主分类号 ：
H03F3/68
IPC分类号 ：
H03F3/68 H03F3/21 H03F1/52
法律状态
2012-01-25 ：
授权
2007-12-05 ：
实质审查的生效
2007-10-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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