半导体器件及其制造方法
专利权的终止
摘要
半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于提供一种可以另外地写入数据并且容易制造的易失性半导体器件，及其制造方法。本发明的特征是半导体器件包括元件形成层，它包括提供在衬底上的第一晶体管和第二晶体管；提供在元件形成层上的存储元件；以及提供在存储元件上的传感器部分，其中存储元件具有包括第一导电层、有机化合物层和第二导电层的分层结构，第一导电层电连接到第一晶体管，并且传感器部分电连接到第二晶体管。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101073125A
申请号 ：
CN200580042067.0
公开（公告）日 ：
2007-11-14
申请日 ：
2005-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
守屋芳隆安部宽子汤川干央野村亮二
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
秦晨
优先权 ：
CN200580042067.0
主分类号 ：
G11C13/02
IPC分类号 ：
G11C13/02 G11C11/22
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C13/02
使用其操作取决于化学变化的存储元件
法律状态
2018-11-23 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G11C 13/02
申请日 : 20051201
授权公告日 : 20120530
终止日期 : 20171201
申请日 : 20051201
授权公告日 : 20120530
终止日期 : 20171201
2012-05-30 ：
授权
2008-01-23 ：
实质审查的生效
2007-11-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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