具有自对准浅沟槽隔离的电可擦除可编程只读存储器阵列
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供一种在单个衬底上一起制造存储器阵列和外围电路的方法，所述方法在所述衬底的所有区上形成介电层(302)、浮动栅极层(306)、层间电介质(308)和掩模层(310)。在已形成自对准浅沟槽隔离结构(STI)之后，从所述外围区去除这些层，且在所述外围区中根据这些区中电路的电压而形成具有不同厚度的电介质(640、860)。在所述存储器阵列和所述外围电路上方形成导电层(970)，以在所述存储器阵列中形成控制栅极并在所述外围区中形成栅电极。
基本信息
专利标题 ：
具有自对准浅沟槽隔离的电可擦除可编程只读存储器阵列
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101099236A
申请号 ：
CN200580043383.X
公开（公告）日 ：
2008-01-02
申请日 ：
2005-12-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
图安·法姆东谷正昭
申请人 ：
桑迪士克股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
刘国伟
优先权 ：
CN200580043383.X
主分类号 ：
H01L21/8247
IPC分类号 ：
H01L21/8247 H01L27/105
法律状态
2009-11-18 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-02-27 ：
实质审查的生效
2008-01-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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