用于制造和分离半导体器件的方法
专利权的终止
摘要
一种制造和分离半导体结构的方法，包括以下步骤：(a)局部地形成附着至支撑结构(550)的半导体结构(514)，局部形成半导体结构包括多个局部形成器件，其中，多个局部形成器件(500a，500b，500c)通过至少一个连接层相互连接；(b)在多个局部形成器件的至少一部分上形成局部掩模层；(c)蚀刻连接层以分离器件；以及(d)去除局部掩模层。本发明的优点包括比传统技术更高的产量。此外，可以使用更廉价的设备来分离器件。结果是每单位时间和金钱更高的器件生产率。
基本信息
专利标题 ：
用于制造和分离半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101371338A
申请号 ：
CN200580046250.8
公开（公告）日 ：
2009-02-18
申请日 ：
2005-11-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘明哲
申请人 ：
沃提科尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
余刚
优先权 ：
CN200580046250.8
主分类号 ：
H01L21/30
IPC分类号 ：
H01L21/30
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
法律状态
2017-01-04 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101695903409
IPC(主分类) : H01L 21/30
专利号 : ZL2005800462508
申请日 : 20051115
授权公告日 : 20100721
终止日期 : 20151115
号牌文件序号 : 101695903409
IPC(主分类) : H01L 21/30
专利号 : ZL2005800462508
申请日 : 20051115
授权公告日 : 20100721
终止日期 : 20151115
2015-12-09 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101724900916
IPC(主分类) : H01L 21/30
专利号 : ZL2005800462508
登记生效日 : 20151119
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 沃提科尔公司
变更后权利人 : 沃提科尔公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国加利福尼亚州
变更后权利人 : 韩国首尔
号牌文件序号 : 101724900916
IPC(主分类) : H01L 21/30
专利号 : ZL2005800462508
登记生效日 : 20151119
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 沃提科尔公司
变更后权利人 : 沃提科尔公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国加利福尼亚州
变更后权利人 : 韩国首尔
2010-07-21 ：
授权
2009-04-15 ：
实质审查的生效
2009-02-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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