蓝宝石衬底粗糙化的发光二极管及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了蓝宝石衬底粗糙化发光二极管的制造方法，包括提供一倒装焊基板和一含正面和背面的蓝宝石衬底，以及通过湿法腐蚀在蓝宝石衬底的正面形成第一粗糙面；在粗糙化的衬底上外延生长III－族氮化物半导体多层薄膜形成LED芯片，自衬底正面向外依次生长GaN结晶层、GaN二维平化层、n型GaN层、发光层和p型GaN层；对LED芯片的p型GaN层进行部分刻蚀至n型GaN层；在LED芯片上沉积p、n电极；在p、n电极上沉积若干压焊金属凸点；步骤六，在衬底背面形成第二粗糙面；LED芯片通过倒装焊金属凸点与倒装焊基板焊接。本发明粗糙化的蓝宝石衬底背面是通过湿法腐蚀的方法制作的。工艺简便、效率高。可以显著提高LED的取光效率。
基本信息
专利标题 ：
蓝宝石衬底粗糙化的发光二极管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101009344A
申请号 ：
CN200610004656.6
公开（公告）日 ：
2007-08-01
申请日 ：
2006-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘榕刘伟江忠永田洪涛兰叶张建宝傅文越
申请人 ：
杭州士兰明芯科技有限公司
申请人地址 ：
310018浙江省杭州市杭州经济技术开发区东区10号路
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
陈亮
优先权 ：
CN200610004656.6
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2018-02-27 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20060127
授权公告日 : 20100127
终止日期 : 20170127
申请日 : 20060127
授权公告日 : 20100127
终止日期 : 20170127
2010-01-27 ：
授权
2009-02-11 ：
实质审查的生效
2007-08-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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