半导体器件及其制造方法

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

摘要

提供了一种考虑到环境影响的高可靠度的半导体器件。在功率半导体模块的制造中，通过使用无铅焊料，通过焊料层将在其两个表面上具有陶瓷板和导体层的绝缘基片连接至散热基底，并通过焊料层将诸如IGBT之类的半导体芯片连接至绝缘基片。另外，在焊接绝缘基片和散热基底之前，弯曲散热基底使它与绝缘基片相对一侧的表面凸起并通过焊接使其平坦或大致平坦。因此，当将散热基底附加至冷却片等上时，它们的热阻较小，从而有效地散发半导体芯片的热量以防止异常温度升高。

基本信息

专利标题：

半导体器件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1815720A

申请号：

CN200610005457.7

公开（公告）日：

2006-08-09

申请日：

2006-01-18

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

西村芳孝两角朗大西一永望月英司高桥良和

申请人：

富士电机电子设备技术株式会社

申请人地址：

日本东京

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

李玲

优先权：

CN200610005457.7

主分类号：

H01L23/36

IPC分类号：

H01L23/36 H01L21/50

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/34

冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置

H01L23/36

为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器

法律状态

2011-11-02 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101203120547
IPC(主分类) : H01L 23/36
专利号 : ZL2006100054577
变更事项 : 专利权人
变更前 : 富士电机系统株式会社
变更后 : 富士电机株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京
变更后 : 日本神奈川县

2010-07-07 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101002896840
IPC(主分类) : H01L 23/36
专利号 : ZL2006100054577
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 富士电机电子技术株式会社
变更后权利人 : 富士电机系统株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 日本东京
登记生效日 : 20100527

2010-02-10 ：

授权

2008-02-27 ：

实质审查的生效

2006-08-09 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载