半导体器件及其制造方法
专利权的终止
摘要

本发明提供一种具有高可靠性和优异散热性的半导体器件,以及以低成本制造该半导体器件的方法。通过含焊料碳构件结合半导体元件与作为散热构件的壳体,该含焊料碳构件具有如下结构:在含焊料碳烧结体的表面上形成外焊料层,该含焊料碳烧结体通过使用焊料浸渍碳烧结体而形成。通过将所述烧结体用于半导体元件与壳体之间的连接,可消除半导体元件发热过程中的热应力,同时保证高散热性。通过使用廉价焊料浸渍烧结体,可紧密结合烧结体与外焊料层。通过外焊料层,可紧密结合半导体元件与壳体。因此,可以低成本实现具有高可靠性和优异散热性的半导体器件。

基本信息
专利标题 :
半导体器件及其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1893038A
申请号 :
CN200610005485.9
公开(公告)日 :
2007-01-10
申请日 :
2006-01-16
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
玉川道昭南泽正荣
申请人 :
富士通株式会社
申请人地址 :
日本神奈川县
代理机构 :
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人 :
王玉双
优先权 :
CN200610005485.9
主分类号 :
H01L23/34
IPC分类号 :
H01L23/34  H01L21/50  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置;加热装置;通风装置或温度补偿装置
法律状态
2013-03-27 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101416718473
IPC(主分类) : H01L 23/433
专利号 : ZL2006100054859
申请日 : 20060116
授权公告日 : 20081112
终止日期 : 20120116
2010-11-10 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101039797237
IPC(主分类) : H01L 23/433
专利号 : ZL2006100054859
变更事项 : 专利权人
变更前 : 富士通微电子株式会社
变更后 : 富士通微电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京都
变更后 : 日本神奈川县横浜市
2010-11-10 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101039797238
IPC(主分类) : H01L 23/433
专利号 : ZL2006100054859
变更事项 : 专利权人
变更前 : 富士通微电子株式会社
变更后 : 富士通半导体股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川县横浜市
变更后 : 日本神奈川县横浜市
2008-12-17 :
专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 富士通株式会社
变更后权利人 : 富士通微电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川县
变更后 : 日本东京都
登记生效日 : 20081107
2008-11-12 :
授权
2007-03-07 :
实质审查的生效
2007-01-10 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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