晶片的切削方法及切削装置
授权
摘要
一种切削装置，其在使用两个以上的切削刀片切削晶片的场合，通过在一部切削刀片发生不正常时也能继续进行切削而不降低生产率。在对保持在夹紧台上的晶片使第一切削手段和第二切削手段发挥作用切削晶片W的晶片切削方法中，当第一切削手段或第二切削手段中的任一个发生不正常时，通过使发生不正常的切削手段从晶片W退开，用没有发生不正常的另一切削手段继续进行晶片W的切削而不降低生产率。
基本信息
专利标题 ：
晶片的切削方法及切削装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1841702A
申请号 ：
CN200610009365.6
公开（公告）日 ：
2006-10-04
申请日 ：
2006-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
五十畑胜通
申请人 ：
株式会社迪思科
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
陈伟
优先权 ：
CN200610009365.6
主分类号 ：
H01L21/78
IPC分类号 ：
H01L21/78 H01L21/301 B28D5/00 B26D5/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
法律状态
2009-07-15 ：
授权
2007-10-24 ：
实质审查的生效
2006-10-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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