半导体器件及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明的半导体器件具有安装在半导体元件5上的散热器9。该散热器9更靠近该半导体元件5的一个表面的面积总体上等于该半导体元件5更靠近该散热器9的一个表面的面积。采用该结构，可以降低半导体器件的制造成本，而且可以提高其可靠性。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1835214A
申请号 ：
CN200610059673.X
公开（公告）日 ：
2006-09-20
申请日 ：
2006-03-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
加藤达也
申请人 ：
夏普株式会社
申请人地址 ：
日本大阪市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
王岳
优先权 ：
CN200610059673.X
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2015-05-06 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101608727879
IPC(主分类) : H01L 23/367
专利号 : ZL200610059673X
申请日 : 20060317
授权公告日 : 20090114
终止日期 : 20140317
号牌文件序号 : 101608727879
IPC(主分类) : H01L 23/367
专利号 : ZL200610059673X
申请日 : 20060317
授权公告日 : 20090114
终止日期 : 20140317
2009-01-14 ：
授权
2006-11-22 ：
实质审查的生效
2006-09-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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