IC芯片安装方法
专利权的终止
摘要
一种将两个或更多个IC芯片安装到基底上的IC芯片安装方法，包括步骤：制备晶片，即将带子安装在该晶片的一面，其相反面为待连至基底的安装表面，然后切割该晶片但保留该带子，将该晶片分割成多个IC芯片；并且通过折叠来收缩待安装IC芯片的基底，使IC芯片在该基底上的安装位置之间的间隔可以与IC芯片在该基底上的安装位置之间的规定间隔一致，其中该规定间隔是指将位于该晶片上的IC芯片安装到该基底上并展开该基底后所规定的间隔；使安装有带子的晶片面对收缩的基底放置，其方向为待连至基底的安装表面面对该基底；将该晶片上的IC芯片安装到收缩的基底上；以及展开该基底。本发明提高了IC芯片安装的生产率。
基本信息
专利标题 ：
IC芯片安装方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101303988A
申请号 ：
CN200810099297.6
公开（公告）日 ：
2008-11-12
申请日 ：
2006-01-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
石川直树马场俊二吉良秀彦小林弘菊池俊一常野达朗
申请人 ：
富士通株式会社;富士通先端科技株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县川崎市
代理机构 ：
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人 ：
张龙哺
优先权 ：
CN200810099297.6
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L21/00 G06K19/077
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2018-12-28 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/60
申请日 : 20060109
授权公告日 : 20120208
终止日期 : 20180109
申请日 : 20060109
授权公告日 : 20120208
终止日期 : 20180109
2012-02-08 ：
授权
2009-01-07 ：
实质审查的生效
2008-11-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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