生产用于多功能产品的半导体晶片的方法
授权
摘要
本公开的各方面提供了一种用于半导体晶片制造的方法。该方法包括使用在掩模集合中的下级掩模的子集以在半导体晶片上形成下级电路结构的多个模块化单元。掩模集合包括下级掩模的子集并且至少包括上级掩模的第一子集和上级掩模的第二子集。上级掩模的第一子集限定单元内互连件。上级掩模的第二子集限定单元内互连件和单元间互连件两者。该方法还包括基于最终集成电路(IC)产品的组合要求选择上级掩模的第一子集和上级掩模的第二子集中的至少一个子集并且使用所选择的上级掩模的子集以在半导体晶片上形成上级结构。
基本信息
专利标题 ：
生产用于多功能产品的半导体晶片的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107068546A
申请号 ：
CN201610975836.2
公开（公告）日 ：
2017-08-18
申请日 ：
2016-11-07
授权号 ：
CN107068546B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
E·罗特姆R·泽马赫I·皮莱德
申请人 ：
马维尔以色列(M.I.S.L.)有限公司
申请人地址 ：
以色列约克尼穆
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
酆迅
优先权 ：
CN201610975836.2
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 G06F17/50
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2018-11-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/027
申请日 : 20161107
申请日 : 20161107
2017-08-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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