多芯片封装
授权
摘要
本发明涉及多芯片封装，其包括借助于至少一个柔性区(13)彼此连接的至少两个刚性区，至少一个柔性区(13)包括柔性膜和导体，所述导体在由柔性膜支撑的柔性区(13)上伸展，至少两个刚性区均包括绝缘体层以及在绝缘体层的第一表面上的导体的层，至少两个刚性区还均包括至少一个芯片(6)，所述芯片嵌入在绝缘体层中并且具有面向绝缘体层的第一表面上的导体的接触端，接触端中的至少一些经由接触元件电连接到导体，至少一个柔性区(13)被折叠以形成多层封装，至少两个刚性区的绝缘体层的第一表面上的导体的层通过至少一个柔性区(13)的导体彼此电连接。
基本信息
专利标题 ：
多芯片封装
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108133897A
申请号 ：
CN201810095305.3
公开（公告）日 ：
2018-06-08
申请日 ：
2010-01-05
授权号 ：
CN108133897B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
安蒂·伊霍拉图奥马斯·瓦里斯
申请人 ：
伊姆贝拉电子有限公司
申请人地址 ：
芬兰埃斯波
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
王萍
优先权 ：
CN201810095305.3
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L21/50 H01L23/31 H01L23/488 H01L25/00 H05K1/02 H05K3/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2020-09-08 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : H01L 21/48
登记生效日 : 20200820
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : GE因百德电子公司
变更后权利人 : 伊姆贝拉泰克有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 芬兰赫尔辛基
变更后权利人 : 美国弗吉尼亚州
登记生效日 : 20200820
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : GE因百德电子公司
变更后权利人 : 伊姆贝拉泰克有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 芬兰赫尔辛基
变更后权利人 : 美国弗吉尼亚州
2020-05-19 ：
著录事项变更
IPC(主分类) : H01L 21/48
变更事项 : 申请人
变更前 : 伊姆贝拉电子有限公司
变更后 : GE因百德电子公司
变更事项 : 地址
变更前 : 埃斯波
变更后 : 芬兰赫尔辛基
变更事项 : 申请人
变更前 : 伊姆贝拉电子有限公司
变更后 : GE因百德电子公司
变更事项 : 地址
变更前 : 埃斯波
变更后 : 芬兰赫尔辛基
2018-07-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/48
申请日 : 20100105
申请日 : 20100105
2018-06-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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