半导体器件及其制造方法
授权
摘要
本发明涉及半导体器件及其制造方法。具体而言，外延槽形成在半导体衬底中，其中半导体衬底的矩阵区段横向地分隔外延槽并且包括第一半导体材料。晶体的第二半导体材料的外延区域在外延槽中形成，其中第二半导体材料与第一半导体材料的不同之处在于孔隙率和杂质含量中的至少一种。由外延区域形成半导体器件的半导体主体的至少主要主体部分。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108389787A
申请号 ：
CN201810111658.8
公开（公告）日 ：
2018-08-10
申请日 ：
2018-02-05
授权号 ：
CN108389787B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
A·布罗克迈耶F·希勒F·J·桑托斯罗德里格斯D·施勒格尔H-J·舒尔策
申请人 ：
英飞凌科技股份有限公司
申请人地址 ：
德国瑙伊比贝尔格市
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
林金朝
优先权 ：
CN201810111658.8
主分类号 ：
H01L21/22
IPC分类号 ：
H01L21/22 H01L29/739 H01L21/331 H01L29/78 H01L21/336 H01L29/36 H01L21/782
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/22
杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2018-09-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/22
申请日 : 20180205
申请日 : 20180205
2018-08-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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