半导体封装体配置装置、制造装置、配置方法及其应用
授权
摘要
本发明提供一种可高精度地配置半导体封装体的半导体封装体配置装置、制造装置、配置方法及其应用。半导体封装体配置装置具备：吸附机构，用以吸附半导体封装体；第1拍摄元件，用以拍摄吸附在吸附机构上的半导体封装体；配置构件，用以配置吸附在吸附机构上的半导体封装体；以及第2拍摄元件，用以拍摄配置构件的开口。吸附机构可在单轴方向上移动，第2拍摄元件安装在吸附机构上。根据由第1拍摄元件所拍摄的半导体封装体的拍摄数据与由第2拍摄元件所拍摄的开口的拍摄数据，进行半导体封装体对于开口的对位，而将半导体封装体配置在配置构件上。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装体配置装置、制造装置、配置方法及其应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108630579A
申请号 ：
CN201810208327.6
公开（公告）日 ：
2018-10-09
申请日 ：
2018-03-14
授权号 ：
CN108630579B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
今井一郎深井元树片冈昌一
申请人 ：
东和株式会社
申请人地址 ：
日本京都府京都市南区上鸟羽上调子町5番地（邮编：601-8105）
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨贝贝
优先权 ：
CN201810208327.6
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/68 H01L21/683 H01L21/78 H01L23/552
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2018-11-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20180314
申请日 : 20180314
2018-10-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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