制造半导体配置的方法
公开
摘要
本发明提供一种制造半导体配置的方法，包含：在第一晶片的第一晶片界面区中形成第一分子离子层；在第二晶片的第二晶片界面区中形成第二分子离子层；通过在朝向第一晶片界面区以及第二晶片界面区的方向上向第一晶片或第二晶片中的至少一个施加压力来形成将第一晶片界面区连接到第二晶片界面区的第一分子键；以及使第一晶片以及第二晶片退火以形成将第一晶片界面区连接到第二晶片界面区的第二分子键。
基本信息
专利标题 ：
制造半导体配置的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628258A
申请号 ：
CN202110418859.4
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-04-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李名哲陈升照周正贤蔡正原
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
南京正联知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾伯兴
优先权 ：
CN202110418859.4
主分类号 ：
H01L21/50
IPC分类号 ：
H01L21/50
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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