半导体器件及其制造方法
公开
摘要
本公开涉及半导体器件及其制造方法。该半导体器件，包括：布线基板；安装在布线基板上的半导体芯片；布置在半导体芯片上以覆盖整个半导体芯片并且具有比半导体芯片的面积更大面积的散热片；以及覆盖半导体芯片和散热片并固定散热片的盖构件。盖构件具有面对半导体芯片的第一部分、布置在第一部分的外围并且被接合并固定到布线基板上的凸缘部分、以及布置在第一部分和凸缘部分之间的第二部分。在从散热片观察的盖构件的平面图中，散热片通过接合构件被接合/固定到盖构件，该接合构件部分地布置在散热片和盖构件之间。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520202A
申请号 ：
CN202111320041.5
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2021-11-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
秋叶俊彦田沼祐辅
申请人 ：
瑞萨电子株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
罗利娜
优先权 ：
CN202111320041.5
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L21/50
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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