半导体器件及其制造方法
公开
摘要
一种半导体器件包括电路衬底、第一半导体管芯、热界面材料、封装盖。第一半导体管芯设置在电路衬底上且电连接到电路衬底。热界面材料在第一半导体管芯的相对于电路衬底而言的相对的侧处设置在第一半导体管芯上。封装盖在第一半导体管芯之上延伸且结合到电路衬底。封装盖包括顶部、基脚、岛状物。顶部沿着第一方向及与第一方向垂直的第二方向延伸。基脚设置在顶部的外围边缘处且沿着与第一方向及第二方向垂直的第三方向从顶部朝电路衬底突出。岛状物从顶部朝电路衬底突出且接触第一半导体管芯上的热界面材料。岛状物沿着第二方向与基脚断开。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628337A
申请号 ：
CN202110436584.7
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-04-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
叶书伸林柏尧游辉昌吕学德郑心圃
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
南京正联知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾伯兴
优先权 ：
CN202110436584.7
主分类号 ：
H01L23/10
IPC分类号 ：
H01L23/10 H01L23/057 H01L23/367 H01L21/52 H05K1/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
H01L23/10
按部件间，例如在容器的帽盖和基座之间或在容器的引线和器壁之间的封接的材料或配置的特点进行区分的
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
