半导体器件及其制造方法
授权
摘要
制造半导体器件的方法包括：在一个或多个芯片的表面上形成焊料层。在一个或多个芯片中的每个上的焊料层上方放置盖。施加热量和压力以熔化焊料层，并将每个盖附接至相应的焊料层。焊料层具有≥50W/mK的热导率。本发明的实施例还涉及半导体器件。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111128928A
申请号 ：
CN201911047763.0
公开（公告）日 ：
2020-05-08
申请日 ：
2019-10-30
授权号 ：
CN111128928B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
陈扬哲林振华曾皇文梁其翔刘醇明
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN201911047763.0
主分类号 ：
H01L23/373
IPC分类号 ：
H01L23/373 H01L21/50
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/373
为便于冷却的器件材料选择
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2020-06-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/373
申请日 : 20191030
申请日 : 20191030
2020-05-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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