半导体器件的制造方法
视为撤回的专利申请
摘要
本发明提供了一种半导体器件的制造方法，它包括首先将树脂粘合剂置于引线框的小板上，然后通过迅速升温，使粘合树脂活化，接着再将小片放在活化的粘合剂上。以后用普通的金属线粘结和密封工序，以提供所需的半导体器件。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87107692A
申请号 ：
CN87107692.6
公开（公告）日 ：
1988-05-25
申请日 ：
1987-11-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
威廉N·博尔斯脱斯查德利A·马库斯林肯·耶
申请人 ：
MT化学公司
申请人地址 ：
美国新泽西州
代理机构 ：
上海专利事务所
代理人 ：
张绮霞
优先权 ：
CN87107692.6
主分类号 ：
H01L21/50
IPC分类号 ：
H01L21/50 H01L21/52
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
1991-10-09 ：
视为撤回的专利申请
1990-02-28 ：
实质审查请求
1988-05-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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