半导体配置及其形成方法
公开
摘要
本揭露提供一种半导体配置及其形成方法。此半导体配置包含第一光电二极管，其中第一光电二极管是在基材中。此半导体配置包含透镜阵列，其中透镜阵列是在基材上。透镜阵列的第一群透镜是位于第一光电二极管上。入射至第一群透镜的辐射是由第一群透镜导向第一光电二极管。
基本信息
专利标题 ：
半导体配置及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613792A
申请号 ：
CN202110517640.X
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2021-05-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谢丰键郑允玮李国政
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN202110517640.X
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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