图案形成方法和光致抗蚀剂图案外涂层组合物
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摘要
一种图案形成方法，包含：(a)提供半导体衬底；(b)在所述半导体衬底上形成光致抗蚀剂图案，其中所述光致抗蚀剂图案由光致抗蚀剂组合物形成，所述光致抗蚀剂组合物包含：包含酸不稳定基团的第一聚合物；和光酸产生剂；(c)在所述光致抗蚀剂图案上涂布图案外涂层组合物，其中所述图案外涂层组合物包含第二聚合物和有机溶剂，其中所述有机溶剂包含一种或多种酯溶剂，其中所述酯溶剂具有式R1‑C(O)O‑R2，其中R1是C3‑C6烷基并且R2是C5‑C10烷基；(d)烘烤经涂布的所述光致抗蚀剂图案；和(e)用冲洗剂冲洗所述经涂布的光致抗蚀剂图案以去除所述第二聚合物。所述方法尤其适用于制造半导体装置。
基本信息
专利标题 ：
图案形成方法和光致抗蚀剂图案外涂层组合物
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108803236A
申请号 ：
CN201810396587.0
公开（公告）日 ：
2018-11-13
申请日 ：
2018-04-27
授权号 ：
CN108803236B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
侯希森刘聪I·考尔
申请人 ：
罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请人地址 ：
美国马萨诸塞州
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
陈哲锋
优先权 ：
CN201810396587.0
主分类号 ：
G03F7/00
IPC分类号 ：
G03F7/00 G03F7/004
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IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2018-12-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/00
申请日 : 20180427
申请日 : 20180427
2018-11-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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