测量半导体晶片上的图案中的高度差

授权

摘要

用于决定提供于半导体晶片上的图案中的高度差的改进技术使用实际的测量(例如，来自SEM图像的测量)和高度差决定模型。在该模型的一个版本中，该模型的可测量的变量是被表示为阴影的深度(即，相对亮度)的变化的函数，其中阴影的深度取决于：在半导体晶片上的两个特征之间的高度差和宽度差。在该模型的另一版本中，可测量的变量被表示为周期性结构的实际的图像上的两个特征点之间的测量距离的变化相对于扫描电子束的倾斜角度的变化的函数。

基本信息

专利标题：

测量半导体晶片上的图案中的高度差

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110622289A

申请号：

CN201880032678.4

公开（公告）日：

2019-12-27

申请日：

2018-05-18

授权号：

CN110622289B

授权日：

2022-05-24

发明人：

伊谢·施瓦茨班德严·阿夫尼尔谢尔盖·克里斯托莫尔·巴拉姆希蒙·利维多伦·吉蒙斯基罗马·克里斯

申请人：

应用材料以色列公司

申请人地址：

以色列雷霍沃特

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司

代理人：

徐金国

优先权：

CN201880032678.4

主分类号：

H01L21/66

IPC分类号：

H01L21/66