基片温度稳定装置及方法、光刻系统
授权
摘要

本发明提供基片温度稳定装置及方法、光刻系统。所述基片温度稳定装置包括设置在基片上片路径上第一工位的第一温度稳定模块和设置在基片上片路径上第二工位的第二温度稳定模块,从而可以在基片位于第一工位和第二工位的时间段内分别对基片进行温度稳定操作,分段调节可以增加对同一基片的温度稳定操作时间从而有助于提升上片后基片的温度稳定性和片内温度均一性,并且,由于两段温度稳定操作分别在不同工位执行,温度稳定操作的总时间增加对上片时间的影响小,有助于提高上片效率。所述温度稳定方法与所述基片温度稳定装置具有类似的效果。所述光刻系统包括上述基片温度稳定装置。

基本信息
专利标题 :
基片温度稳定装置及方法、光刻系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112799283A
申请号 :
CN201911032185.3
公开(公告)日 :
2021-05-14
申请日 :
2019-10-28
授权号 :
CN112799283B
授权日 :
2022-04-15
发明人 :
耿辉陈淮阳郑教增庞飞郝凤龙
申请人 :
上海微电子装备(集团)股份有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区张东路1525号
代理机构 :
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 :
王宏婧
优先权 :
CN201911032185.3
主分类号 :
G03F7/20
IPC分类号 :
G03F7/20  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-04-15 :
授权
2021-06-01 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20191028
2021-05-14 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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